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基辛格称HBM是“糟糕的内存”
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AI 综述
2026年10月14日，IT之家报道称，前英特尔 CEO 帕特·基辛格再次批评 HBM，称其位密度低、散热与“海岸线带宽”受限，并形容 HBM 是“糟糕的内存”。他认为，对于 AI 这类内存与计算高度耦合的工作负载，HBM 存在明显短板。报道还提到，HBM3/3E 的总线宽度为 1,024 位，HBM4 则提升至 2,048 位。目前事件进展集中在基辛格对 HBM 技术路线的公开批评及其对 AI 工作负载适配性的质疑。
AI 根据报道生成 · 2 小时前更新
最新进展10月14日 15:47
基辛格再次公开批评 HBM，称其不适合部分 AI 工作负载。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- IT之家前英特尔 CEO 基辛格称 HBM 是“糟糕的内存”
前英特尔 CEO 帕特·基辛格再次批评 HBM 位密度低、散热与“海岸线带宽”受限，称其为“糟糕的内存”。他认为 HBM 对 AI 这类内存与计算高度耦合的工作负载存在明显短板；文中提到 HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位，HBM4 提升至 2,048 位。
本事件热度走势
当前热度 9·可比范围峰值 10（10月14日 16:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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