消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

三星电子据称正在开发面向人工智能负载优化的 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别强化读写带宽和随机性能。zNAND-T 采用 TSV 堆叠 NAND Die，面向数据中心 AI 半导体需求；zNAND-I 强调少量数据频繁读写，覆盖 KV Cache 卸载等场景。