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三星开发AI优化zNAND闪存
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AI 综述
2026年10月12日，IT之家报道称，三星电子据称正在开发面向人工智能负载优化的两类 zNAND 闪存：zNAND-T 与 zNAND-I。报道显示，zNAND-T 采用 TSV 堆叠 NAND Die，重点强化读写带宽，面向数据中心 AI 半导体需求；zNAND-I 则强调少量数据的频繁读写能力，重点优化随机性能，覆盖 KV Cache 卸载等应用场景。目前报道未披露产品发布时间、量产计划或客户进展。
AI 根据报道生成 · 52 分钟前更新
最新进展10月12日 13:54
三星据称开发 zNAND-T 与 zNAND-I，分别优化吞吐量和随机性能。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- IT之家消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星电子据称正在开发面向人工智能负载优化的 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别强化读写带宽和随机性能。zNAND-T 采用 TSV 堆叠 NAND Die，面向数据中心 AI 半导体需求；zNAND-I 强调少量数据频繁读写，覆盖 KV Cache 卸载等场景。
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